相关证件：
会员类型：
会员年限：15年
张小姐 
电话：0755-83247541
手机：15323877382
李生
电话：0755-83247541
手机：13410257800
李小姐
电话：0755-83019596
手机：13392821624
朱小姐
电话：0755-83247486
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：38W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：175mΩ@10V,6.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
P沟道,55V ,11A,175mΩ
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型号
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IRFR9024NTRPBF
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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HEXFET®
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包装
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卷带（TR）剪切带（CT）
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Product Status
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在售
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FET 类型
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P 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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55 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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11A（Tc）
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驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（大）
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175 毫欧 @ 6.6A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（大）
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4V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大）
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19 nC @ 10 V
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Vgs（大）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大）
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350 pF @ 25 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（大）
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38W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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D-Pak
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封装/外壳
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TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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基本产品编号
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IRFR9024
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询价
